TT8M2
<Tr2 : Pch>
Data Sheet
Parameter
Drain ? source voltage
Gate ? source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 20
± 10
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
? 1
? 1
± 2.5
± 10
? 0.8
? 10
A
A
A
A
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
<Tr1 AND Tr2>
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Total power dissipation
Channel temperature
Range of Storage temperature
P D
Tch
Tstg
? 2
1.25
1.0
150
? 55 to + 150
W / TOTAL
W / ELEMENT
° C
° C
? 2
Mounted on a ceramic board
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
< Characteristics for the Tr1( Nch ).>
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS =± 12V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
30
?
?
V
I D = 1mA, V GS = 0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
I DSS
V GS (th)
R DS (on) ?
?
0.5
?
?
?
?
?
65
70
95
1
1.5
90
95
130
μ A
V
m ?
m ?
m ?
V DS = 30V, V GS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 2.5A, V GS = 4.5V
I D = 2.5A, V GS = 4V
I D = 2.5A, V GS = 2.5V
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Y fs
C iss
C oss
C rss
t d (on)
t r
t d (off)
t f
Q g
Q gs
?
?
?
?
?
?
?
2.2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
180
60
35
7
30
20
20
3.2
0.9
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
V DS = 10V, I D = 2.5A
V DS = 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
V DD 15V
I D = 1.2A
V GS = 4.5V
R L 12.5 ?
R G = 10 ?
V DD 15V, I D = 2.5A
V GS = 4.5V
Gate-drain charge
Q gd
?
?
0.4
?
nC
R L
6 ? , R G = 10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I S = 2.5A, V GS =0V
? Pulsed
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2009.06 - Rev.A
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